| ردیف | عنوان مقاله | عنوان مجله | شماره مجله | کشور محل چاپ | همکاران |
|
1
| ترانزيستور SGOI-MOSFET با توزيع ناخالصي تدريجي در کانال براي بهبود جريان نشتي و اثر حامل هاي داغ | Superlattices and Microstructures | 50 | - | علي اصغر اروجي |
|
2
| ترانزيستور SOI-LDMOSFET با عايق مدفون دوماده اي: يک افزاره نوين براي بهبود اثر خودگرمايي | Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures | 44 | - | علي اصغر اروجي |
|
3
| ترانزيستور نانومقياس SOI-MOSFET با عايق مدفون اصلاح شده براي بهبود عملکرد AC و اثر خودگرمايي | Materials Science in Semiconductor Processing | 15 | - | علي اصغر اروجي |
|
4
| کاهش جريان نشتي در ترانزيستورهاي نانومقياس SOI-MOSFET با مکانيزم جريان اصلاح شده | Current Applied Physics | 12 | - | علي اصغر اروجي |
|
5
| عملکرد ولتاژ بالا و RF در ترانزيستورهاي SOI-MESFET با استفاده از توزيع ميدان کنترل شده | IEEE Transactions on Electron Devices | 59 | - | اميرحسين امين بيدختي- علي اصغر اروجي |
|