| ردیف | عنوان مقاله | عنوان مجله | شماره مجله | کشور محل چاپ | همکاران |
|
1
| ترانزيستور SGOI-MOSFET با توزيع ناخالصي تدريجي در کانال براي بهبود جريان نشتي و اثر حامل هاي داغ | Superlattices and Microstructures | 50 | - | علي اصغر اروجي |
|
2
| ترانزيستور SOI-LDMOSFET با عايق مدفون دوماده اي: يک افزاره نوين براي بهبود اثر خودگرمايي | Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures | 44 | - | علي اصغر اروجي |
|
3
| ترانزيستور نانومقياس SOI-MOSFET با عايق مدفون اصلاح شده براي بهبود عملکرد AC و اثر خودگرمايي | Materials Science in Semiconductor Processing | 15 | - | علي اصغر اروجي |
|
4
| کاهش جريان نشتي در ترانزيستورهاي نانومقياس SOI-MOSFET با مکانيزم جريان اصلاح شده | Current Applied Physics | 12 | - | علي اصغر اروجي |
|
5
| عملکرد ولتاژ بالا و RF در ترانزيستورهاي SOI-MESFET با استفاده از توزيع ميدان کنترل شده | IEEE Transactions on Electron Devices | 59 | - | اميرحسين امين بيدختي- علي اصغر اروجي |
|
6
| ترانزيستور SGOI-MOSFET زير ميکرون با نوارهاي انرژي اصلاح شده در کانال براي بهبود مشخصات الکتريکي | Current Applied Physics | 13 | - | علي اصغر اروجي- اميرحسين امين بيدختي |
|
7
| بهبود مشخصات الکتريکي و گرمايي در ترانزيستورهاي SOI-MOSFET با تغيير توزيع ناخالصي در کانال | Materials Science in Semiconductor Processing | 16 | - | علي اصغر اروجي |
|
8
| اعمال ناخالصي نوين پله اي عمودي در ترانزيستورهاي Poly-Si TFT براي بهبود جريان نشتي | Superlattices and Microstructures | 63 | - | علي اصغر اروجي- ربابه اسماعيل نژاد |
|
9
| جلوگيري از گسترش نفوذ ناحيه تخليه در ترانزيستورهاي AlGaN/GaN-HEMT: تکنيک نوين براي بهبود مشخصات فرکانس بالا | Journal of the Korean Physical Society | 67 | - | محسن اسد |
|
10
| ناحيه ي تخليه اصلاح شده در ترانزيستورهاي SOI MESFET با استفاده از فرورفتگي سه گانه براي کاربردهاي RF | Materials Science in Semiconductor Processing | 30 | - | زينب رمضاني- علي اصغر اروجي |
|
11
| ترانزيستور نانوسيم بدون پيوند TFET با ناحيه +n درون ساخت و اصلاح نوارهاي انرژي در سمت سورس | Journal of Computational Electronics | 15 | - | مرتضي فتحي پور |
|
12
| ترانزيستور نانوسيم بدون پيوند TFET با اعمال ترانزيستور دوقطبي NPN درون ساخت: فيزيک و اصول عملکرد | Journal of Applied Physics | 120 | - | مرتضي فتحي پور |
|
13
| بهبود عملکرد الکتريکي در ترانزيستور نانوسيم بدون پيوند TFET با عايق گيت دو ماده اي | Materials Science in Semiconductor Processing | 63 | - | مرتضي فتحي پور |